MOSFET Infineon, canale N, 148 A, PG-TTFN-9, Montaggio superficiale

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Codice RS:
284-937
Codice costruttore:
IQD063N15NM5CGATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

148 A

Tensione massima drain source

150 V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-TTFN-9

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

9

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

SiC

Il MOSFET Infineon con transistor di potenza OptiMOS 5 è un MOSFET avanzato e ad alte prestazioni, progettato per la versatilità in varie applicazioni industriali. Questo dispositivo offre un'efficienza superiore grazie a una resistenza di accensione estremamente bassa e a un'eccezionale resistenza termica, che lo rendono adatto a compiti di gestione dell'alimentazione in cui l'affidabilità è fondamentale. La sua natura robusta garantisce il 100% dei test anti valanga, offrendo agli utenti la massima sicurezza durante il funzionamento. Con una significativa tensione di breakdown e capacità dinamiche, la serie OptiMOS 5 è progettata per migliorare i criteri di prestazione mantenendo la conformità agli standard ambientali.

Alta efficienza e bassa perdita di potenza
Gestione termica superiore per una maggiore longevità
Ampia validazione per l'affidabilità industriale
Ampia gamma di temperatura d'esercizio
La bassa carica del gate riduce le perdite di commutazione
Prestazioni di commutazione competitive per PWM
Conformità alla direttiva RoHS e all'assenza di alogeni

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