MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 0.9 mΩ Miglioramento, 445 A, 9 Pin, PG-TTFN-9, Superficie IQD009N06NM5CGATMA1

Il MOSFET Infineon è dotato di un transistor di potenza OptiMOS 5, progettato per garantire prestazioni ad alta efficienza in varie applicazioni, con un funzionamento stabile a una tensione massima di 60V. Questo MOSFET a canale N presenta una bassa resistenza di accensione, che riduce in modo significativo le perdite di potenza, assicurando che i vostri progetti mantengano una gestione termica ottimale anche in condizioni difficili. Con caratteristiche avanzate contro le valanghe e test estesi per l'affidabilità, questo dispositivo soddisfa le applicazioni industriali che richiedono una resistenza termica superiore e prestazioni robuste. Il contenitore Compact PG TTFN 9 migliora la facilità di integrazione nei progetti esistenti, rendendolo una scelta ideale per gli ingegneri che desiderano migliorare i propri sistemi.

La resistenza molto bassa migliora l'efficienza