MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 250 mΩ Miglioramento, 1.2 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie IRLML2803TRPBF
- Codice RS:
- 302-022
- Codice Distrelec:
- 304-36-995
- Codice costruttore:
- IRLML2803TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
1,80 €
(IVA esclusa)
2,20 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Scorte limitate
- 90 unità rimaste, pronte per la spedizione
- Più 565 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 335 unità in spedizione dal 20 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,36 € | 1,80 € |
| 50 - 245 | 0,304 € | 1,52 € |
| 250 - 495 | 0,236 € | 1,18 € |
| 500 - 1245 | 0,184 € | 0,92 € |
| 1250 + | 0,16 € | 0,80 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 302-022
- Codice Distrelec:
- 304-36-995
- Codice costruttore:
- IRLML2803TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 250mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 3.3nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 540mW | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.02mm | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 250mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.3nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 540mW | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.02mm | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, 1,2A di corrente di scarico continua massima, 540 mW di dissipazione di potenza massima - IRLML2803TRPBF
Questo MOSFET a canale N offre prestazioni e affidabilità migliorate per una serie di applicazioni elettroniche. Progettato con la tecnologia Hexfet, funziona in modo efficiente in configurazioni a montaggio superficiale, rendendolo adatto a progetti compatti nei settori dell'automazione e dell'elettricità. La combinazione di una bassa RDS(on) e di un'elevata corrente di drenaggio continua consente una gestione ottimale dell'alimentazione in varie condizioni.
Caratteristiche e vantaggi
• Supporta una corrente di drenaggio continua massima di 1,2A per prestazioni efficaci
• L'elevata tensione massima drain-source di 30 V consente un utilizzo versatile
• La bassa resistenza massima drain-source di 250mΩ riduce al minimo le perdite di potenza
• Il funzionamento in modalità di potenziamento consente capacità di commutazione efficienti
• Il package compatto SOT-23 è ideale per le applicazioni con limiti di spazio
• Funziona ad alte temperature, con una temperatura massima di esercizio di +150°C
Applicazioni
• Utilizzato nei convertitori DC-DC per un'efficace gestione dell'energia
• Impiegato nei circuiti di controllo dei motori per una maggiore precisione
• Adatto per la commutazione dell'alimentazione nell'elettronica di consumo
• Integrato nei sistemi di automazione per una gestione efficiente del carico
Qual è la tensione ottimale del gate per il funzionamento?
La tensione di gate ottimale per questo dispositivo è di +10 V, che consente una commutazione e prestazioni efficienti.
Come si comporta alle alte temperature?
Questo componente può funzionare a temperature fino a +150°C, garantendo affidabilità in condizioni termiche.
Può gestire correnti di drenaggio pulsate?
Sì, supporta correnti di drenaggio pulsate significativamente superiori ai valori nominali continui, in grado di sopportare brevi picchi di corrente.
Quale tipo di montaggio è consigliato per questo dispositivo?
Il tipo di montaggio a superficie è quello consigliato, in quanto offre migliori prestazioni termiche ed efficienza di spazio nei progetti di circuiti.
Quali sono le precauzioni da prendere durante l'installazione?
Una gestione termica adeguata e il rispetto dei valori nominali massimi sono necessari per evitare danni durante il funzionamento.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 250 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 250 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 250 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRLML2402TRPBF
- MOSFET Infineon 480 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 480 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRLML2060TRPBF
- MOSFET DiodesZetex 450 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 800 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie
- MOSFET DiodesZetex 450 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie ZXMN6A07FTA
