MOSFET Infineon, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 302-022
Codice costruttore:: IRLML2803TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per 1pz in confezione da 5**

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Unità	Per unità	Per confezione**
5 - 45	0,306 €	1,53 €
50 - 245	0,258 €	1,29 €
250 - 495	0,20 €	1,00 €
500 - 1245	0,158 €	0,79 €
1250 +	0,136 €	0,68 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 302-022
Codice costruttore:: IRLML2803TRPBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,2 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	250 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	540 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	3,3 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3.04mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm

MOSFET Infineon, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon

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