MOSFET Infineon, canale N, 480 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 725-9357
Codice costruttore:: IRLML2060TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 480 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per 1pz in confezione da 20**

0,058 €

(IVA esclusa)

0,071 €

(IVA inclusa)

620 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per confezione**
20 +	0,058 €	1,16 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 725-9357
Codice costruttore:: IRLML2060TRPBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,2 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	480 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,25 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Carica gate tipica @ Vgs	0,67 nC a 4,5 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.04mm
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.4mm
Altezza	1.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 480 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon

Link consigliati