MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 480 mΩ Miglioramento, 1.2 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie IRLML2060TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
725-9357
Codice costruttore:
IRLML2060TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-23

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

480mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.67nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.25W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.02mm

Lunghezza

3.04mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.4 mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-45-313

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

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