MOSFET Infineon, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 302-016
Codice costruttore:: IRLML2402TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 302-016
Codice costruttore:: IRLML2402TRPBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,2 A
Tensione massima drain source	20 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	250 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.7V
Tensione di soglia gate minima	0.7V
Dissipazione di potenza massima	540 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	2,6 nC @ 4,5 V
Lunghezza	3.04mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm

MOSFET Infineon, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza a canale N, da 12 V a 25 V, Infineon