MOSFET Infineon, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 302-016
Codice costruttore:: IRLML2402TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 302-016
Codice costruttore:: IRLML2402TRPBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,2 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	250 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.7V
Tensione di soglia gate minima	0.7V
Dissipazione di potenza massima	540 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Lunghezza	3.04mm
Carica gate tipica @ Vgs	2,6 nC @ 4,5 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm

MOSFET Infineon, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, da 12 V a 25 V, Infineon

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