MOSFET Infineon, canale Tipo N 20 V, 250 mΩ Miglioramento, 1.2 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie IRLML2402TRPBF

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Codice RS:
302-016
Codice costruttore:
IRLML2402TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

250mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

540mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.6nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Larghezza

1.4 mm

Distrelec Product Id

304-36-994

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, da 12 V a 25 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

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