MOSFET ROHM, canale Doppio N 60 V, 139 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, HSOP-8, Superficie HP8KC5TB1

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Codice RS:
331-684
Codice costruttore:
HP8KC5TB1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Doppio N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

HSOP-8

Serie

HP8KC5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

139mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

20W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.1nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

Pb-Free Plating, RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza ROHM è un MOSFET a bassa resistenza di accensione ideale per applicazioni di commutazione e azionamenti di motori. Questo MOSFET di potenza è disponibile in un piccolo contenitore a montaggio superficiale.

Placcatura senza Pb

Conformità RoHS

Senza alogeni

Testato al 100 percento da Rg e UIS

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