Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 100 V, 4 mΩ Miglioramento, 139 A, 10 Pin, PG-WHITFN-10-1, Superficie

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Codice RS:
349-152
Codice costruttore:
ISG0616N10NM5HSCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

139A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PG-WHITFN-10-1

Serie

ISG

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

10

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
I MOSFET OptiMOS 5 a doppio canale n Infineon da 100 V in un blocco di potenza scalabile con capacità di raffreddamento a doppio lato. I MOSFET a doppio canale N in PQFN 6,3x6,0 presentano una bassa RDS(on) di 4,0 mΩ ciascuno con Q1/Q2 in configurazione a mezzo ponte. La bassa induttanza parassita del pacchetto migliora le prestazioni di commutazione e le EMI, riducendo al contempo il costo complessivo della distinta base. La capacità di raffreddamento a doppio lato aumenta il rendimento energetico di un ulteriore 25% con una gestione termica superiore.

Perdite di conduzione ridotte al minimo

Riduzione dell'overshoot di tensione

Capacità di potenza elevata

Prestazioni termiche superiori

Induttanza del loop più bassa

Prestazioni di commutazione/EMI superiori

Gestione termica superiore

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