Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.88 mΩ Miglioramento, 299 A, 10 Pin, PG-VITFN-10, Superficie

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Codice RS:
349-393
Codice costruttore:
ISG0613N04NM6HATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

299A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

ISG

Tipo di package

PG-VITFN-10

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

10

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.88mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69nC

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC61249‑2‑21, JEDEC

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
I MOSFET OptiMOS 6 a doppio canale N Infineon da 40 V in un pacchetto di blocco di potenza scalabile. I MOSFET a doppio canale N in PQFN 6,3x6,0 presentano un valore RDS(on) molto basso, pari a 0,88 mΩ ciascuno, con Q1/Q2 in configurazione a mezzo ponte.

Perdite di conduzione ridotte al minimo

Riduzione dell'overshoot di tensione

Capacità di potenza elevata

Prestazioni termiche superiori

Induttanza del loop più bassa

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