Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.88 mΩ Miglioramento, 299 A, 10 Pin, PG-WHITFN-10-1, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

9,27 €

(IVA esclusa)

11,31 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 28 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 184,635 €9,27 €
20 - 1984,17 €8,34 €
200 - 9983,85 €7,70 €
1000 - 19983,575 €7,15 €
2000 +3,205 €6,41 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
349-394
Codice costruttore:
ISG0613N04NM6HSCATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

299A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PG-WHITFN-10-1

Serie

ISG

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

10

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.88mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69nC

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
I MOSFET OptiMOS 6 a doppio canale N Infineon da 40 V in un blocco di potenza scalabile con capacità di raffreddamento a doppio lato. I MOSFET a doppio canale N in PQFN 6,3x6,0 presentano una bassa RDS(on) di 0,88 mΩ ciascuno con Q1/Q2 in configurazione a mezzo ponte. La bassa induttanza parassita del pacchetto migliora le prestazioni di commutazione e le EMI, riducendo al contempo il costo complessivo della distinta base. La capacità di raffreddamento a doppio lato aumenta il rendimento energetico di un ulteriore 25% con una gestione termica superiore.

Perdite di conduzione ridotte al minimo

Riduzione dell'overshoot di tensione

Capacità di potenza elevata

Prestazioni termiche superiori

Induttanza del loop più bassa

Gestione termica superiore

Link consigliati