MOSFET Infineon, canale N 600 V, 37 mΩ Miglioramento, 64 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Foro passante IPZA60R037CM8XKSA1

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Codice RS:
349-269
Codice costruttore:
IPZA60R037CM8XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

64A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PG-TO247-4

Serie

IPZ

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

37mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

329W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

900mV

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

79nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC for Industrial Applications

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
La piattaforma CoolMOS Infineon di ottava generazione è una tecnologia rivoluzionaria per i MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio della supergiunzione (SJ) e sperimentata da Infineon Technologies. La serie CoolMOS CM8 da 600 V è il successore del CoolMOS 7. Combina i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida con un'eccellente facilità d'uso, ad esempio una bassa tendenza al ringing, l'implementazione di un diodo intrinseco rapido per tutti i prodotti con un'eccezionale robustezza contro l'hard switching e un'eccellente capacità ESD. Inoltre, le perdite di commutazione e di conduzione estremamente basse del CM8 rendono le applicazioni di commutazione ancora più efficienti.

Adatto a topologie hard e soft switching

Facilità d'uso e rapidità di progettazione grazie alla bassa tendenza al ringing

Gestione termica semplificata grazie alla nostra tecnica avanzata di fissaggio della matrice

Adatto a un'ampia gamma di applicazioni e gamme di potenza

Soluzioni a maggiore densità di potenza grazie all'utilizzo di prodotti con ingombro ridotto

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