MOSFET Infineon, canale Tipo N, 15.5 mΩ 2000 V, 195 A Miglioramento, Morsetto a vite FF5MR20KM1HHPSA1

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Codice RS:
349-317
Codice costruttore:
FF5MR20KM1HHPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

195A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

2000V

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

6.15V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
HU
Il modulo a mezzo ponte MOSFET G1 CoolSiC da 62 mm Infineon da 2000 V, 5,2 mΩ nel noto design dell'alloggiamento da 62 mm con tecnologia chip M1H. Disponibile anche con materiale di interfaccia termica preapplicato.

Densità di corrente elevata

Basse perdite di commutazione

Affidabilità superiore dell'ossido di gate

Diodo intrinseco integrato robusto

Elevata robustezza ai raggi cosmici

Modulo di commutazione a velocità elevata

Design simmetrico del modulo

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