MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 2.3 mΩ Miglioramento, 243 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT023N10NM5LF2ATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

8,10 €

(IVA esclusa)

9,88 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 184,05 €8,10 €
20 - 1983,65 €7,30 €
200 - 9983,365 €6,73 €
1000 - 19983,12 €6,24 €
2000 +2,795 €5,59 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
351-908
Codice costruttore:
IPT023N10NM5LF2ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

243A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PG-HSOF-8

Serie

IPT0

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

144nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.58mm

Altezza

2.40mm

Standard/Approvazioni

RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
AT
La tecnologia Infineon OptiMOS 5 Linear FET 2 consente il miglior compromesso della categoria tra la resistenza totale tra fonte e uscita e la capacità di modalità lineare. In combinazione con il pacchetto TOLL, l'IPT023N10NM5LF2 è destinato alla protezione da correnti di spunto come hot-swap, e-fuse e protezione della batteria nei sistemi di gestione della batteria (BMS).

Ampia area operativa sicura (SOA)

Basso valore di RDS(on)

IGSS inferiore rispetto ai FET lineari

Caratteristica di trasferimento ottimizzata

Link consigliati