MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 2.3 mΩ Miglioramento, 243 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT023N10NM5LF2ATMA1

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Codice RS:
351-908
Codice costruttore:
IPT023N10NM5LF2ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

243A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PG-HSOF-8

Serie

IPT0

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

144nC

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified

Larghezza

10.1mm

Lunghezza

10.58mm

Altezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
AT
La tecnologia Infineon OptiMOS 5 Linear FET 2 consente il miglior compromesso della categoria tra la resistenza totale tra fonte e uscita e la capacità di modalità lineare. In combinazione con il pacchetto TOLL, l'IPT023N10NM5LF2 è destinato alla protezione da correnti di spunto come hot-swap, e-fuse e protezione della batteria nei sistemi di gestione della batteria (BMS).

Ampia area operativa sicura (SOA)

Basso valore di RDS(on)

IGSS inferiore rispetto ai FET lineari

Caratteristica di trasferimento ottimizzata

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