Canale N MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 160 A 60 V, PowerFLAT, Superficie Miglioramento, 8 Pin STL160N6LF7
- Codice RS:
- 358-982
- Codice costruttore:
- STL160N6LF7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
2046,00 €
(IVA esclusa)
2496,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,682 € | 2.046,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 358-982
- Codice costruttore:
- STL160N6LF7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Frequenza | 1 MHz | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 160A | |
| Potenza di uscita | 125W | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | STL160 | |
| Tipo di package | PowerFLAT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Canale N | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 6.1 mm | |
| Lunghezza | 4.8mm | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Frequenza 1 MHz | ||
Massima corrente di scarico continua Id 160A | ||
Potenza di uscita 125W | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie STL160 | ||
Tipo di package PowerFLAT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Canale N | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 6.1 mm | ||
Lunghezza 4.8mm | ||
Altezza 0.9mm | ||
Standard/Approvazioni JEDEC | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale N di STMicroelectronics, basato sulla tecnologia STripFET F7, offre una resistenza on-state eccezionalmente bassa (RDS(on)) per una maggiore efficienza. Il suo design garantisce una capacità e una carica di gate ridotte, consentendo una commutazione più rapida ed efficiente con un'eccellente immunità alle EMI.
FoM eccellente
Basso rapporto Crss/Ciss per l'immunità EMI
Elevata resistenza alle scariche disruptive a valanga
Livello logico VGS
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