Canale N MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 167 A 40 V, PowerFLAT, Superficie Miglioramento, 8 Pin STL170N4LF8

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:
366-222
Codice costruttore:
STL170N4LF8
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

167A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Potenza di uscita

111W

Serie

STL

Tipo di package

PowerFLAT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Canale N

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1mm

Lunghezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

JEDEC (JESD51-5,-7)

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N e 40 V con modalità di miglioramento di STMicroelectronics è progettato in tecnologia STripFET F8 con una struttura di gate a trincea perfezionata. Garantisce una figura di merito all'avanguardia per una resistenza on-state molto bassa, riducendo al contempo le capacità interne e la carica di gate per una commutazione più rapida ed efficiente.

Grado MSL1

Massima temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Bassa carica di gate Qg

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