Canale N MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 167 A 40 V, PowerFLAT, Superficie Miglioramento, 8 Pin STL170N4LF8

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Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

2007,00 €

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Codice RS:
366-222
Codice costruttore:
STL170N4LF8
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Frequenza

1 MHz

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

167A

Potenza di uscita

111W

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerFLAT

Serie

STL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Canale N

Standard/Approvazioni

JEDEC (JESD51-5,-7)

Larghezza

5.9 mm

Lunghezza

5.1mm

Altezza

1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N e 40 V con modalità di miglioramento di STMicroelectronics è progettato in tecnologia STripFET F8 con una struttura di gate a trincea perfezionata. Garantisce una figura di merito all'avanguardia per una resistenza on-state molto bassa, riducendo al contempo le capacità interne e la carica di gate per una commutazione più rapida ed efficiente.

Grado MSL1

Massima temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Bassa carica di gate Qg

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