1 Array MOSFET Microchip Coppia complementare, canale Canale P, Canale N, 2 A 200 V, VDFN, Superficie Miglioramento, 8

I MOSFET a canale N e a canale P ad alta tensione, a bassa soglia Microchip in contenitori VDFN e SOIC a 8 conduttori sono dotati di resistenze gate-to-source integrate e morsetti a diodo Zener gate-to-source, il che li rende ideali per le applicazioni a impulsi ad alta tensione. Questa coppia MOSFET complementare a canale N e canale P con morsetto a gate ad alta velocità e alta tensione utilizza una struttura DMOS verticale avanzata e un processo di fabbricazione di gate in silicio collaudato. La combinazione offre le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari insieme all'elevata impedenza di ingresso e al coefficiente di temperatura positivo tipici dei dispositivi MOS. Come per tutte le strutture MOS, questi dispositivi sono privi di fuga termica e guasto secondario indotto termicamente.

Soglia bassa