1 Array MOSFET Microchip Due coppie di canali N e P, canale Canale P, Canale N, 8.5 Ω, 2.3 A 200 V, DFN, Superficie

I MOSFET a canale N e a canale P ad alta tensione, a bassa soglia Microchip in un contenitore DFN a 12 conduttori sono dotati di resistenze gate-to-source integrate e morsetti a diodo Zener gate-to-source, ideali per le applicazioni a impulsi ad alta tensione. Queste coppie complementari di MOSFET a canale N e a canale P con morsetto a gate ad alta velocità e alta tensione utilizzano una struttura DMOS verticale avanzata insieme al collaudato processo di fabbricazione con gate al silicio di Supertex. Questa combinazione offre le capacità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, fornendo al contempo l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo tipici dei dispositivi MOS.

Resistenza gate-source integrata