1 Array MOSFET Microchip Due coppie di canali N e P, canale Canale P, Canale N, 8.5 Ω, 2.3 A 200 V, DFN, Superficie
- Codice RS:
- 598-776
- Codice costruttore:
- TC8220K6-G
- Costruttore:
- Microchip
Prezzo per 1 bobina da 3300 unità*
7893,60 €
(IVA esclusa)
9629,40 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3300 + | 2,392 € | 7.893,60 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 598-776
- Codice costruttore:
- TC8220K6-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo di canale | Canale P, Canale N | |
| Tipo prodotto | Array MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | DFN | |
| Serie | TC8220 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 12 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8.5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±25 V | |
| Configurazione transistor | Due coppie di canali N e P | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 4mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Certificate of Compliance | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo di canale Canale P, Canale N | ||
Tipo prodotto Array MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package DFN | ||
Serie TC8220 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 12 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8.5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±25 V | ||
Configurazione transistor Due coppie di canali N e P | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 4mm | ||
Altezza 1mm | ||
Larghezza 4 mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Certificate of Compliance | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
I MOSFET a canale N e a canale P ad alta tensione, a bassa soglia Microchip in un contenitore DFN a 12 conduttori sono dotati di resistenze gate-to-source integrate e morsetti a diodo Zener gate-to-source, ideali per le applicazioni a impulsi ad alta tensione. Queste coppie complementari di MOSFET a canale N e a canale P con morsetto a gate ad alta velocità e alta tensione utilizzano una struttura DMOS verticale avanzata insieme al collaudato processo di fabbricazione con gate al silicio di Supertex. Questa combinazione offre le capacità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, fornendo al contempo l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo tipici dei dispositivi MOS.
Resistenza gate-source integrata
Diodo Zener gate-source integrato
Soglia bassa, bassa resistenza all'accensione
Bassa capacità di ingresso e uscita
Velocità di commutazione rapide