1 Array MOSFET Microchip, canale Canale P, Canale N, 125 Ω, 350 mA 500 V, SOIC a 8 conduttori (TG), Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 3300 unità*

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Codice RS:
598-873
Codice costruttore:
TC1550TG-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo di canale

Canale P, Canale N

Tipo prodotto

Array MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

350mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

SOIC a 8 conduttori (TG)

Serie

TC1550

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

4.90mm

Larghezza

3.9 mm

Altezza

1.75mm

Standard/Approvazioni

RoHS Certificate of Compliance

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N e a canale P ad alta tensione Microchip in un contenitore SOIC a 8 conduttori è un transistor in modalità di potenziamento (normalmente spegnimento) che utilizza una struttura DMOS verticale avanzata e il collaudato processo di fabbricazione con gate al silicio di Supertex. Questa combinazione offre le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari con l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo tipici dei dispositivi MOS. Come per tutte le strutture MOS, questo dispositivo è immune alla fuga termica e alla rottura secondaria indotta termicamente, garantendo prestazioni affidabili.

Bassa capacità di ingresso

Velocità di commutazione rapide

Privo di guasti secondari

Bassa perdita in ingresso e in uscita

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