1 Array MOSFET Microchip Doppio canale N, canale Doppio N, 6 Ω, 2.8 A 240 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 598-332
- Codice costruttore:
- TD9944TG-G
- Costruttore:
- Microchip
Prezzo per 1 bobina da 3300 unità*
5791,50 €
(IVA esclusa)
7065,30 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3300 + | 1,755 € | 5.791,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 598-332
- Codice costruttore:
- TD9944TG-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo di canale | Doppio N | |
| Tipo prodotto | Array MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 240V | |
| Serie | TD9944 | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Doppio canale N | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Lunghezza | 4.9mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Certificate of Compliance | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo di canale Doppio N | ||
Tipo prodotto Array MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 240V | ||
Serie TD9944 | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Doppio canale N | ||
Altezza 1.75mm | ||
Lunghezza 4.9mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Certificate of Compliance | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET verticali con modalità di potenziamento a canale N doppio Microchip utilizzano il collaudato processo di fabbricazione con gate al silicio di Supertex. Questa combinazione offre capacità di gestione dell'alimentazione simili a quelle dei transistor bipolari, insieme all'elevata impedenza di ingresso e al coefficiente di temperatura positivo caratteristico dei dispositivi MOS. Come per tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di fuga termica e rottura secondaria indotta termicamente, garantendo prestazioni affidabili anche in ambienti difficili.
Impedenza di ingresso elevata
Velocità di commutazione rapide
Bassa resistenza in stato attivo
Privo di scarica secondaria
Bassa perdita in ingresso e in uscita
Link consigliati
- 1 Array MOSFET Microchip Mosfet a canale N e canale P indipendenti Canale N 2.1 A
- 1 Array MOSFET Microchip Canale N 350 mA 500 V Superficie
- 1 Array MOSFET Microchip Coppie di canali N e P elettricamente isolate (2 coppie) Canale P 1.8
- 1 Array MOSFET Microchip Coppia complementare Canale N VDFN 8
- 1 Array MOSFET Microchip Due coppie di canali N e P Canale N 2.3 A 200 V Superficie
- MOSFET DiodesZetex 120 mΩ Miglioramento 3 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon Modalità di potenziamento del livello logico a doppio canale N 20 A 60 V
- MOSFET Infineon 2.8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
