1 Array MOSFET Microchip Doppio canale N, canale Doppio N, 6 Ω, 2.8 A 240 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 598-332
- Codice costruttore:
- TD9944TG-G
- Costruttore:
- Microchip
Prezzo per 1 bobina da 3300 unità*
5623,20 €
(IVA esclusa)
6860,70 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3300 + | 1,704 € | 5.623,20 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 598-332
- Codice costruttore:
- TD9944TG-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo di canale | Doppio N | |
| Tipo prodotto | Array MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 240V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Serie | TD9944 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Configurazione transistor | Doppio canale N | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Lunghezza | 4.9mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Certificate of Compliance | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo di canale Doppio N | ||
Tipo prodotto Array MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 240V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Serie TD9944 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Configurazione transistor Doppio canale N | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.75mm | ||
Lunghezza 4.9mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Certificate of Compliance | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET verticali con modalità di potenziamento a canale N doppio Microchip utilizzano il collaudato processo di fabbricazione con gate al silicio di Supertex. Questa combinazione offre capacità di gestione dell'alimentazione simili a quelle dei transistor bipolari, insieme all'elevata impedenza di ingresso e al coefficiente di temperatura positivo caratteristico dei dispositivi MOS. Come per tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di fuga termica e rottura secondaria indotta termicamente, garantendo prestazioni affidabili anche in ambienti difficili.
Impedenza di ingresso elevata
Velocità di commutazione rapide
Bassa resistenza in stato attivo
Privo di scarica secondaria
Bassa perdita in ingresso e in uscita
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