1 Array MOSFET Microchip Coppie di canali N e P elettricamente isolate (2 coppie), canale Canale N, Canale P, 12 Ω, 1.8

I MOSFET a canale N e a canale P ad alta tensione, a bassa soglia Microchip in un contenitore DFN a 12 conduttori sono dotati di diodi di scarico di uscita ad alta tensione integrati, resistenze gate-to-source e morsetti a diodo Zener gate-to-source, il che li rende ideali per le applicazioni a impulsi ad alta tensione. Queste coppie MOSFET complementari, ad alta velocità, alta tensione, con morsetto a gate utilizzano una struttura DMOS verticale avanzata e un processo di fabbricazione collaudato con gate al silicio. Questa combinazione fornisce le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari, insieme all'elevata impedenza di ingresso e al coefficiente di temperatura positivo caratteristico dei dispositivi MOS.

Resistenza gate-source integrata