1 Array MOSFET Microchip Coppie di canali N e P elettricamente isolate (2 coppie), canale Canale N, Canale P, 12 Ω, 1.8

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3300 +3,127 €10.319,10 €

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Codice RS:
598-568
Codice costruttore:
TC7920K6-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo prodotto

Array MOSFET

Tipo di canale

Canale N, Canale P

Massima corrente di scarico continua Id

1.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

DFN

Serie

TC7920

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Tensione diretta Vf

1.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Coppie di canali N e P elettricamente isolate (2 coppie)

Altezza

1mm

Larghezza

4.15 mm

Standard/Approvazioni

RoHS Certificate of Compliance

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
I MOSFET a canale N e a canale P ad alta tensione, a bassa soglia Microchip in un contenitore DFN a 12 conduttori sono dotati di diodi di scarico di uscita ad alta tensione integrati, resistenze gate-to-source e morsetti a diodo Zener gate-to-source, il che li rende ideali per le applicazioni a impulsi ad alta tensione. Queste coppie MOSFET complementari, ad alta velocità, alta tensione, con morsetto a gate utilizzano una struttura DMOS verticale avanzata e un processo di fabbricazione collaudato con gate al silicio. Questa combinazione fornisce le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari, insieme all'elevata impedenza di ingresso e al coefficiente di temperatura positivo caratteristico dei dispositivi MOS.

Resistenza gate-source integrata

Diodo Zener gate-source integrato

Soglia bassa, bassa resistenza all'accensione

Bassa capacità di ingresso e uscita

Velocità di commutazione rapide

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