1 Array MOSFET Microchip Mosfet a canale N e canale P indipendenti, canale Canale P, Canale N, 12 Ω, 2.1 A, SOIC,
- Codice RS:
- 598-027
- Codice costruttore:
- TC2320TG-G
- Costruttore:
- Microchip
Prezzo per 1 bobina da 3300 unità*
5742,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3300 + | 1,74 € | 5.742,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 598-027
- Codice costruttore:
- TC2320TG-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo prodotto | Array MOSFET | |
| Tipo di canale | Canale P, Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.1A | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Serie | TC2320 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 12Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Mosfet a canale N e canale P indipendenti | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Certificate of Compliance | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo prodotto Array MOSFET | ||
Tipo di canale Canale P, Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.1A | ||
Tipo di package SOIC | ||
Serie TC2320 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 12Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Mosfet a canale N e canale P indipendenti | ||
Standard/Approvazioni RoHS Certificate of Compliance | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a canale N e a canale P ad alta tensione, a bassa soglia Microchip in un contenitore SOIC a 8 conduttori è un transistor in modalità di potenziamento (normalmente spento) che utilizza una struttura DMOS verticale avanzata e un processo di fabbricazione del gate al silicio ben collaudato. Questa combinazione fornisce le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari mantenendo al contempo un'elevata impedenza di ingresso e un coefficiente di temperatura positivo, tipici dei dispositivi MOS. Come per tutte le strutture MOS, il dispositivo è privo di fuga termica e rottura secondaria indotta termicamente, garantendo prestazioni affidabili.
Soglia bassa
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità di ingresso
Velocità di commutazione rapide
Privo di scarica secondaria
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