2 MOSFET Infineon, canale Tipo P, Tipo N, 0.11 mΩ, 4.7 A -55 V, SOIC, 8 Pin
- Codice RS:
- 243-9287
- Codice costruttore:
- AUIRF7343QTR
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*
2980,00 €
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3636,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,745 € | 2.980,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 243-9287
- Codice costruttore:
- AUIRF7343QTR
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -55V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.11mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -55V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.11mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Questi MOSFET di potenza HEXFET® AUIRF7343QTR di Infineon, progettati specificatamente per le applicazioni automobilistiche, in un contenitore doppio SO-8 utilizzano le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza in stato attivo estremamente bassa per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questi MOSFET di potenza HEXFET con certificazione per uso automobilistico sono una temperatura d'esercizio di giunzione di 150 °C, una velocità di commutazione rapida e un valore nominale a valanga ripetitivo migliorato.
Tecnologia
planare avanzata Azionamento gate di livello
logico a
bassissima resistenza onDoppio canale N e canale P MOSFET
a montaggio
superficialeDisponibile in nastro e bobinaTemperatura d'
esercizio
di 150 °C Senza piombo, conformità RoHS
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