2 MOSFET Infineon, canale Tipo P, -3.4 A -55 V, SOIC, 8 Pin

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Codice RS:
243-9284
Codice costruttore:
AUIRF7342QTR
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-3.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-55V

Tipo di package

SOIC

Numero pin

8

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione diretta Vf

-55V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N AUIRF7342QTR Infineon è stato progettato specificatamente per le applicazioni automobilistiche. Questo design cellulare dei MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza in stato ON per area di silicio. Questo vantaggio, unito alla rapida velocità di commutazione e alla struttura robusta per cui i MOSFET di potenza HEXFET sono ben noti, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile da utilizzare nel settore automobilistico e in un'ampia gamma di altre applicazioni.

Tecnologia planare avanzata

Bassa resistenza di accensione

Azionamento del gate a livello logico

MOSFET a doppio canale P

Valutazione dinamica dv/dt

Temperatura di funzionamento di 150 °C

Commutazione rapida

Valore nominale completamente a effetto valanga

Senza piombo, conforme alla direttiva RoHS

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