2 MOSFET Infineon, canale Tipo P, Tipo N, 0.11 mΩ, 4.7 A -55 V, SOIC, Montaggio superficiale, 8 Pin AUIRF7343QTR

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
243-9288
Codice costruttore:
AUIRF7343QTR
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-55V

Tipo di package

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.11mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione diretta Vf

-1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Questi MOSFET di potenza HEXFET® AUIRF7343QTR di Infineon, progettati specificatamente per le applicazioni automobilistiche, in un contenitore doppio SO-8 utilizzano le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza in stato attivo estremamente bassa per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questi MOSFET di potenza HEXFET con certificazione per uso automobilistico sono una temperatura d'esercizio di giunzione di 150 °C, una velocità di commutazione rapida e un valore nominale a valanga ripetitivo migliorato.

Tecnologia

planare avanzata Azionamento gate di livello

logico a

bassissima resistenza onDoppio canale N e canale P MOSFET

a montaggio

superficialeDisponibile in nastro e bobinaTemperatura d'

esercizio

di 150 °C Senza piombo, conformità RoHS

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