2 MOSFET Infineon, canale Tipo P, Tipo N, 0.11 mΩ, 4.7 A -55 V, SOIC, 8 Pin AUIRF7343QTR
- Codice RS:
- 243-9288
- Codice costruttore:
- AUIRF7343QTR
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,375 € | 4,75 € |
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| 50 - 98 | 2,045 € | 4,09 € |
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- Codice RS:
- 243-9288
- Codice costruttore:
- AUIRF7343QTR
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -55V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.11mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -55V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.11mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Questi MOSFET di potenza HEXFET® AUIRF7343QTR di Infineon, progettati specificatamente per le applicazioni automobilistiche, in un contenitore doppio SO-8 utilizzano le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza in stato attivo estremamente bassa per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questi MOSFET di potenza HEXFET con certificazione per uso automobilistico sono una temperatura d'esercizio di giunzione di 150 °C, una velocità di commutazione rapida e un valore nominale a valanga ripetitivo migliorato.
Tecnologia
planare avanzata Azionamento gate di livello
logico a
bassissima resistenza onDoppio canale N e canale P MOSFET
a montaggio
superficialeDisponibile in nastro e bobinaTemperatura d'
esercizio
di 150 °C Senza piombo, conformità RoHS
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