MOSFET singoli ROHM, canale N 100 V, 30 mΩ Miglioramento, 36 A, 3 Pin, TO-252, Superficie RD3P04BBKHRBTL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
646-544
Codice costruttore:
RD3P04BBKHRBTL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

36A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

RD3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

30mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

53W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.1nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.5mm

Larghezza

6.8mm

Altezza

2.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS, AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor a effetto campo a semiconduttore di ossido di metallo ROHM con potenza di 100 volt e 36 ampere su canale P è dotato di placcatura senza piombo ed è conforme alle restrizioni per le sostanze pericolose. Testato al 100% contro l’effetto valanga.

Bassa resistenza in stato attivo

Certificazione AEC-Q101

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