MOSFET singoli ROHM, canale N 100 V, 15.8 mΩ Miglioramento, 59 A, 3 Pin, TO-252, Superficie AG096FPD3HRBTL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
646-618
Codice costruttore:
AG096FPD3HRBTL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

59A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

AG096F

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

76W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17.3nC

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di grado automobilistico ROHM è certificato AEC-Q101. Ideale per i sistemi automobilistici. Questi MOSFET sono testati al 100% contro le avalanche.

Bassa resistenza in stato attivo

Placcatura senza Pd

Conforme alla direttiva RoHS

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