MOSFET singoli ROHM, canale N 40 V, 2.20 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-252, Superficie AG084FGD3HRBTL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
646-619
Codice costruttore:
AG084FGD3HRBTL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Serie

AG084F

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

142W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

82.0nC

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di grado automobilistico ROHM è certificato AEC-Q101. Ideale per i sistemi automobilistici. Questi MOSFET sono testati al 100% contro le avalanche.

Bassa resistenza in stato attivo

Placcatura senza Pd

Conforme alla direttiva RoHS

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