MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.00173 Ω Miglioramento, 150 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SUP50010EL-GE3
- Codice RS:
- 653-152
- Codice costruttore:
- SUP50010EL-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
114,85 €
(IVA esclusa)
140,10 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 450 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 2,297 € | 114,85 € |
| 250 + | 2,251 € | 112,55 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 653-152
- Codice costruttore:
- SUP50010EL-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 150A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | SUP50010EL | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.00173Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 192nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 150A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie SUP50010EL | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.00173Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 192nC | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale N Gen IV TrenchFET Vishay è progettato per una tensione di scarico-sorgente di 60 V. È dotato di una carica gate-drain (Qgd) molto bassa per ridurre le perdite di commutazione e supporta la gestione di correnti elevate fino a 150 A. Confezionato in un D2PAK, è ideale per convertitori c.c./c.c., azionamenti motori, gestione della batteria e rettifica sincrona negli alimentatori.
Senza Pb
Prodotto privo di alogeni
Conforme alla direttiva RoHS