Codice costruttore

MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.00173 Ω Miglioramento, 150 A, 3 Pin, PowerPAK, Superficie SUM50010EL-GE3

Codice RS:: 653-150
Codice costruttore:: SUM50010EL-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.00173 Ω Miglioramento, 150 A, 3 Pin, PowerPAK, Superficie SUM50010EL-GE3

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MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.00173 Ω Miglioramento, 150 A, 3 Pin, PowerPAK, Superficie

Codice RS: 653-151

1 nastro da 1

4,99 €

(IVA esclusa)

6,09 €

(IVA inclusa)

Codice RS:: 653-150
Codice costruttore:: SUM50010EL-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET singoli
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	150A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	PowerPAK
	Serie	SUM50010EL
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.00173Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	192nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	1.5V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	375W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET singoli
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 150A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package PowerPAK
	Serie SUM50010EL
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.00173Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 192nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 1.5V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 375W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet - SUM50010EL-GE3

Il MOSFET di potenza a canale N Gen IV TrenchFET Vishay è progettato per una tensione di scarico-sorgente di 60 V. È dotato di una carica gate-drain (Qgd) molto bassa per ridurre al minimo la perdita di potenza durante la commutazione e supporta la gestione di correnti elevate fino a 150 A. Confezionato in un D2PAK, è ideale per convertitori c.c./c.c., azionamenti motori, gestione della batteria e rettifica sincrona secondaria negli alimentatori2.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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