MOSFET singoli Vishay, canale N 60 V, 0.00173 Ω Miglioramento, 150 A, 3 Pin, PowerPAK, Superficie SUM50010EL-GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

1816,00 €

(IVA esclusa)

2216,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 15 novembre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
800 +2,27 €1.816,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
653-150
Codice costruttore:
SUM50010EL-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SUM50010EL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00173Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

192nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N Gen IV TrenchFET Vishay è progettato per una tensione di scarico-sorgente di 60 V. È dotato di una carica gate-drain (Qgd) molto bassa per ridurre al minimo la perdita di potenza durante la commutazione e supporta la gestione di correnti elevate fino a 150 A. Confezionato in un D2PAK, è ideale per convertitori c.c./c.c., azionamenti motori, gestione della batteria e rettifica sincrona secondaria negli alimentatori2.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.