MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.00173 Ω Miglioramento, 150 A, 3 Pin, PowerPAK, Superficie SUM50010EL-GE3

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Codice RS:
653-150
Codice costruttore:
SUM50010EL-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SUM50010EL

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00173Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

192nC

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N Gen IV TrenchFET Vishay è progettato per una tensione di scarico-sorgente di 60 V. È dotato di una carica gate-drain (Qgd) molto bassa per ridurre al minimo la perdita di potenza durante la commutazione e supporta la gestione di correnti elevate fino a 150 A. Confezionato in un D2PAK, è ideale per convertitori c.c./c.c., azionamenti motori, gestione della batteria e rettifica sincrona secondaria negli alimentatori2.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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