MOSFET singoli Vishay, canale N 150 V, 0.0555 Ω Miglioramento, 18 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie
- Codice RS:
- 653-113
- Codice costruttore:
- SIS5712DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 653-113
- Codice costruttore:
- SIS5712DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 18A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Serie | SIS5712DN | |
| Tipo di package | PowerPAK | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0555Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 39.1W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Standard/Approvazioni | Lead (Pb)-Free | |
| Larghezza | 3.3mm | |
| Altezza | 1.04mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 18A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Serie SIS5712DN | ||
Tipo di package PowerPAK | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0555Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 39.1W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Standard/Approvazioni Lead (Pb)-Free | ||
Larghezza 3.3mm | ||
Altezza 1.04mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET a canale N Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi a elevata densità di potenza. Supporta fino a 150 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in PowerPAK 1212-8, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen V per fornire un basso RDS(on), una carica di gate ridotta e prestazioni termiche eccellenti.
Senza Pb
Prodotto privo di alogeni
Conforme alla direttiva RoHS
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