MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.00173 Ω Miglioramento, 150 A, 3 Pin, PowerPAK, Superficie

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Codice RS:
653-151
Codice costruttore:
SUM50010EL-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SUM50010EL

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00173Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

192nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N Gen IV TrenchFET Vishay è progettato per una tensione di scarico-sorgente di 60 V. È dotato di una carica gate-drain (Qgd) molto bassa per ridurre al minimo la perdita di potenza durante la commutazione e supporta la gestione di correnti elevate fino a 150 A. Confezionato in un D2PAK, è ideale per convertitori c.c./c.c., azionamenti motori, gestione della batteria e rettifica sincrona secondaria negli alimentatori2.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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