MOSFET singoli Vishay, canale Tipo P -40 V, 0.058 Ω Miglioramento, 6.9 A, 6 Pin, PowerPAK, Montaggio su circuito
- Codice RS:
- 653-164
- Codice costruttore:
- SQ3427CEV-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 nastro da 1 unità*
0,73 €
(IVA esclusa)
0,89 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 2982 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Nastro/i | Per Nastro |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,73 € |
| 25 - 99 | 0,66 € |
| 100 - 499 | 0,59 € |
| 500 - 999 | 0,49 € |
| 1000 + | 0,47 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 653-164
- Codice costruttore:
- SQ3427CEV-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -40V | |
| Serie | SQ3419CEV | |
| Tipo di package | PowerPAK | |
| Tipo montaggio | Montaggio su circuito stampato | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.058Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 5W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 11.3nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | Lead (Pb)-Free | |
| Lunghezza | 3.10mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Larghezza | 2.98 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -40V | ||
Serie SQ3419CEV | ||
Tipo di package PowerPAK | ||
Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.058Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 5W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11.3nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni Lead (Pb)-Free | ||
Lunghezza 3.10mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Larghezza 2.98 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET a canale P di grado automobilistico Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi automobilistici compatti. Supporta una tensione di scarico fino a 40 V e funziona in modo affidabile a temperature di giunzione fino a 175 °C. Confezionato in un formato TSOP-6, utilizza la tecnologia TrenchFET per prestazioni elettriche e termiche ottimizzate in progetti con spazio ristretto.
Certificazione AEC-Q101
Senza Pb
Prodotto privo di alogeni
Conforme alla direttiva RoHS
Link consigliati
- MOSFET singoli Vishay 0.058 Ω Miglioramento 6 Pin Montaggio su circuito
- MOSFET singoli Vishay 0.058 Ω Miglioramento 4 Pin Superficie
- MOSFET singoli Vishay 0.058 Ω Miglioramento 4 Pin Superficie SQJ190ELP-T1_GE3
- MOSFET singoli Vishay 0.092 Ω Miglioramento 6 Pin Montaggio su circuito stampato
- MOSFET singoli Vishay 0.025 Ω Miglioramento 4 Pin Superficie
- MOSFET singoli Vishay 0.025 Ω Miglioramento 4 Pin Superficie SQJ443AEP-T1_GE3
- MOSFET singoli Vishay 0.0030 Ω Miglioramento 4 Pin Montaggio su circuito
- MOSFET singoli Vishay 0.0048 Ω Miglioramento 4 Pin Montaggio su circuito
