MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 60 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 268 A, 8 Pin, PowerFLAT, Montaggio
- Codice RS:
- 719-656
- Codice costruttore:
- STL270N6LF7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
3900,00 €
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4770,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,30 € | 3.900,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 719-656
- Codice costruttore:
- STL270N6LF7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 268A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | STL | |
| Tipo di package | PowerFLAT | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 187W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 145nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6.1mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 268A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie STL | ||
Tipo di package PowerFLAT | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 187W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 145nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6.1mm | ||
Altezza 1mm | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F7 con una struttura a trincea migliorata che si traduce in una resistenza allo stato attivo molto bassa, riducendo al contempo la capacità interna e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.
Tra i RDS(on) più bassi sul mercato
Eccellente FoM (figura di merito)
Basso rapporto Crss/Ciss per l'immunità EMI
Elevata resistenza alle scariche disruptive a valanga
Livello logico VGS(th)
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