MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 60 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 268 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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3000 - 270003,06 €9.180,00 €
30000 - 2970001,992 €5.976,00 €
300000 - 14970001,452 €4.356,00 €
1500000 - 29970001,224 €3.672,00 €
3000000 +1,141 €3.423,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
719-656
Codice costruttore:
STL270N6LF7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

268A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerFLAT

Serie

STL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

145nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

187W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1mm

Larghezza

5mm

Lunghezza

6.1mm

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F7 con una struttura a trincea migliorata che si traduce in una resistenza allo stato attivo molto bassa, riducendo al contempo la capacità interna e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.

Tra i RDS(on) più bassi sul mercato

Eccellente FoM (figura di merito)

Basso rapporto Crss/Ciss per l'immunità EMI

Elevata resistenza alle scariche disruptive a valanga

Livello logico VGS(th)

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