MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale N 60 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 268 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie

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*prezzo indicativo

Codice RS:
719-656
Codice costruttore:
STL270N6LF7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

268A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerFLAT

Serie

STL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

145nC

Dissipazione di potenza massima Pd

187W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

5mm

Altezza

1mm

Lunghezza

6.1mm

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F7 con una struttura a trincea migliorata che si traduce in una resistenza allo stato attivo molto bassa, riducendo al contempo la capacità interna e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.

Tra i RDS(on) più bassi sul mercato

Eccellente FoM (figura di merito)

Basso rapporto Crss/Ciss per l'immunità EMI

Elevata resistenza alle scariche disruptive a valanga

Livello logico VGS(th)

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