MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 60 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 268 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie

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Codice RS:
719-656
Codice costruttore:
STL270N6LF7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

268A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

STL

Tipo di package

PowerFLAT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

187W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

145nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1mm

Larghezza

5mm

Lunghezza

6.1mm

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F7 con una struttura a trincea migliorata che si traduce in una resistenza allo stato attivo molto bassa, riducendo al contempo la capacità interna e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.

Tra i RDS(on) più bassi sul mercato

Eccellente FoM (figura di merito)

Basso rapporto Crss/Ciss per l'immunità EMI

Elevata resistenza alle scariche disruptive a valanga

Livello logico VGS(th)

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