MOSFET Vishay, canale Canale P 60 V, 0.048 Ω Miglioramento, -8 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SQ4917CEY-T1_BE3

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Codice RS:
735-121
Codice costruttore:
SQ4917CEY-T1_BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale P

Massima corrente di scarico continua Id

-8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SO-8

Serie

SQ4917CEY

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.048Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

6.8W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

6.2mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
DE
Il MOSFET di potenza Vishay offre prestazioni elevate nelle applicazioni automobilistiche, offrendo robuste configurazioni a doppio canale P che gestiscono tensioni fino a 60 V e temperature fino a 175 °C.

La tecnologia TrenchFET garantisce una bassa resistenza in stato attivo

Offre una corrente di drenaggio continua massima di -8 A per gamba

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