MOSFET Vishay, canale Canale P 60 V, 0.048 Ω Miglioramento, -8 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SQ4917CEY-T1_BE3

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Codice RS:
735-121
Codice costruttore:
SQ4917CEY-T1_BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale P

Massima corrente di scarico continua Id

-8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SO-8

Serie

SQ4917CEY

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.048Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

6.8W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Larghezza

6.2mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
DE
Il MOSFET di potenza Vishay offre prestazioni elevate nelle applicazioni automobilistiche, offrendo robuste configurazioni a doppio canale P che gestiscono tensioni fino a 60 V e temperature fino a 175 °C.

La tecnologia TrenchFET garantisce una bassa resistenza in stato attivo

Offre una corrente di drenaggio continua massima di -8 A per gamba

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