MOSFET Vishay, canale Canale N 20 V, 0.05 Ω Miglioramento, 4 A, 8 Pin, 1206-8 ChipFET, Superficie SI5908BDC-T1-GE3

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Codice RS:
735-215
Codice costruttore:
SI5908BDC-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

1206-8 ChipFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.05Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

3.1W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Larghezza

1.975mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Lunghezza

3.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE

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