MOSFET Vishay, canale Canale N 80 V, 0.0061 Ω Miglioramento, 222 A, 10 Pin, PowerPack, Superficie SQJ182ER-T1_GE3

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Codice RS:
735-244
Codice costruttore:
SQJ182ER-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

222A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPack

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

10

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0061Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

93nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Larghezza

5.3mm

Lunghezza

7.5mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

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