MOSFET Vishay, canale Canale N 80 V, 0.0296 Ω Miglioramento, 55 A, 10 Pin, PowerPack, Superficie SQJ186ELR-T1_GE3

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Codice RS:
735-276
Codice costruttore:
SQJ186ELR-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPack

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

10

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0296Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

90W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

7.5mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Larghezza

5.3mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

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