MOSFET di potenza Infineon, canale Canale N 1400 V, 19 mΩ Miglioramento, 100 A, 4 Pin, PG-TO247-4, Foro passante

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Codice RS:
762-947
Codice costruttore:
IMYR140R019M2HXLSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1400V

Tipo di package

PG-TO247-4

Serie

CoolSiC

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

19mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

90nC

Dissipazione di potenza massima Pd

385W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

23.8mm

Altezza

4.9mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET SiC CoolSiC 1400 V G2 Infineon ha una tensione nominale di 1400 V e una capacità di corrente di 147 A a 100 °C, con una bassa resistenza in stato attivo di 8,5 mΩ. Supporta elevate prestazioni termiche e può resistere a cortocircuiti per 2 μs. Il dispositivo è progettato con una robusta protezione parassita e un'elevata distanza di dispersione.

Perdite di commutazione molto basse

Diodo intrinseco robusto per hard switching

Ampi pin di potenza per una capacità di corrente elevata

Pin saldabili a resistenza per collegamenti diretti a barra di distribuzione

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