MOSFET Vishay, canale Canale N 1200 V, 63 mΩ N, 41 A, 4 Pin, TO-247AD, Superficie MXPQ120A063SL-GE3

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Codice RS:
790-414
Codice costruttore:
MXPQ120A063SL-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

41A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

MaxSiC

Tipo di package

TO-247AD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

63mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

4.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

205W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

16.13mm

Altezza

5.21mm

Lunghezza

23.6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET SiC a canale N da 1200 V di Vishay è un dispositivo di commutazione ad alte prestazioni progettato per migliorare l'efficienza in varie applicazioni di potenza.

La velocità di commutazione rapida ottimizza le prestazioni operative

Il tempo di resistenza ai cortocircuiti di 3 μs migliora l'affidabilità

Il dispositivo ha una qualifica AEC-Q101 per applicazioni automobilistiche

La bassa resistenza in stato attivo di 63 mΩ garantisce una perdita di potenza minima

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