MOSFET Vishay, canale Canale N 1200 V, 100 mΩ N, 31 A, 4 Pin, TO-247AD, Superficie MXP120A080SL-GE3

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Codice RS:
790-418
Codice costruttore:
MXP120A080SL-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO-247AD

Serie

MaxSiC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

174W

Tensione diretta Vf

4.7V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

5.21mm

Lunghezza

23.6mm

Larghezza

16.13mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET SiC a canale N da 1200 V di Vishay è progettato per applicazioni di potenza ad alte prestazioni, offrendo efficienza, velocità e affidabilità. Il suo design avanzato garantisce un funzionamento robusto in condizioni difficili, mantenendo al contempo la conformità ecologica.

La velocità di commutazione rapida migliora l'efficienza complessiva

Il tempo di resistenza ai cortocircuiti fino a 3 μs garantisce l'affidabilità

Valore nominale per una tensione massima drain-source di 1200 V

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