MOSFET Vishay, canale Canale N 1200 V, 100 mΩ N, 31 A, 4 Pin, TO-247AD, Superficie MXPQ120A080SL-GE3
- Codice RS:
- 790-417
- Codice costruttore:
- MXPQ120A080SL-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 790-417
- Codice costruttore:
- MXPQ120A080SL-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 31A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | TO-247AD | |
| Serie | MaxSiC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 100mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 174W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 61nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22V | |
| Tensione diretta Vf | 4.7V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 23.6mm | |
| Altezza | 5.21mm | |
| Larghezza | 16.13mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 31A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package TO-247AD | ||
Serie MaxSiC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 174W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 61nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22V | ||
Tensione diretta Vf 4.7V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 23.6mm | ||
Altezza 5.21mm | ||
Larghezza 16.13mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET SiC a canale N ad alte prestazioni di Vishay è progettato per applicazioni di commutazione di potenza efficienti, garantendo prestazioni e affidabilità ottimali nei sistemi.
La velocità di commutazione rapida migliora l'efficienza complessiva del sistema
Il tempo di resistenza ai cortocircuiti di 3 μs fornisce una protezione robusta
La qualifica AEC-Q101 per le applicazioni automobilistiche garantisce l'affidabilità
La bassa resistenza in stato attivo riduce al minimo la perdita di potenza durante il funzionamento
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