MOSFET automobilistico Vishay, canale N 100 V, 0.0077 Ω MOSFET, 95 A, 4 Pin, PowerPAK SO-8L, Superficie SQJ112EP-T1_GE3

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Codice RS:
790-421
Codice costruttore:
SQJ112EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET automobilistico

Massima corrente di scarico continua Id

95A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK SO-8L

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0077Ω

Modalità canale

MOSFET

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

185W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N Automotive di Vishay ha una tensione nominale di 100 V ed è progettato per prestazioni ad alta efficienza in applicazioni impegnative, garantendo un funzionamento affidabile anche a temperature estreme fino a 175 °C.

La tecnologia TrenchFET Gen IV ottimizza le caratteristiche di commutazione

AEC Q101 certificato per l'affidabilità di grado automobilistico

Testato al 100% R e UIS per una maggiore durata

Corrente nominale di drenaggio continuo di 95 A a 25 °C

Resistenza in stato attivo di soli 0,0077 Ω a 10 V

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