MOSFET automobilistico Vishay, canale N 100 V, 0.0119 Ω MOSFET, 58 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8L, Superficie SQJ114EP-T1_GE3

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Codice RS:
790-423
Codice costruttore:
SQJ114EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET automobilistico

Massima corrente di scarico continua Id

58A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK SO-8L

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0119Ω

Modalità canale

MOSFET

Dissipazione di potenza massima Pd

115W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

75nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N Automotive di Vishay offre prestazioni superiori come dispositivo di commutazione di potenza. È progettato per applicazioni ad alta efficienza, offrendo eccellenti prestazioni termiche e capacità di azionamento.

Contenitore PowerPAK SO-8L per un design compatto

Certificazione AEC Q101 per applicazioni automobilistiche

La tensione nominale drain-source di 100 V garantisce l'affidabilità

La bassissima resistenza in stato attivo di 0,0119 Ω a 10 V migliora l'efficienza

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