MOSFET automobilistico Vishay, canale Doppio canale N 60 V, 0.0305 Ω MOSFET, 21 A, 4 Pin, PowerPAK SO-8L, Superficie

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Codice RS:
790-425
Codice costruttore:
SQJ768ELP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Doppio canale N

Tipo prodotto

MOSFET automobilistico

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK SO-8L

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0305Ω

Modalità canale

MOSFET

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

35W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il doppio MOSFET di potenza a canale N di Vishay Automotive offre prestazioni robuste in un'ampia gamma di temperature, progettato per gestire in modo efficiente le applicazioni di commutazione e azionamento nei sistemi automobilistici.

La tecnologia MOSFET di potenza TrenchFET garantisce un funzionamento efficiente

Il dispositivo ha una qualifica AEC Q101 per l'affidabilità nelle applicazioni automobilistiche

Testato al 100% R e UIS per garantire prestazioni garantite

I bassi valori di resistenza in stato attivo contribuiscono a migliorare l'efficienza

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