MOSFET DiodesZetex, canale N, 500 mΩ, 900 mA, E-Line, Su foro

Codice RS:: 841-306
Codice costruttore:: ZVN4310A
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 500 mΩ, 900 mA, E-Line, Su foro

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Unità	Per unità	Per confezione**
5 - 35	1,276 €	6,38 €
40 - 195	1,024 €	5,12 €
200 - 995	0,816 €	4,08 €
1000 - 1995	0,70 €	3,50 €
2000 +	0,58 €	2,90 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 841-306
Codice costruttore:: ZVN4310A
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	900 mA
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	E-Line
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	500 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	850 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	4.77mm
Larghezza	2.41mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	4.01mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 500 mΩ, 900 mA, E-Line, Su foro

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MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc

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