MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 11.7 mΩ Miglioramento, 84 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB117N20NFDATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
110-7458
Codice costruttore:
IPB117N20NFDATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

84A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-263

Serie

OptiMOS FD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

65nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

170°C

Lunghezza

10.31mm

Larghezza

9.45 mm

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, JEDEC, Pb-free lead plating, RoHS

Altezza

4.57mm

Standard automobilistico

No

Non applicabile

MOSFET di potenza FD Infineon OptiMOS™


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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