MOSFET Vishay, canale N 200 V, 84 mΩ Miglioramento, 65 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SUM65N20-30-E3

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Codice RS:
165-6029
Codice costruttore:
SUM65N20-30-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

65A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-263

Serie

SUM65N20-30

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

84mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

90nC

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65mm

Altezza

4.826mm

Lunghezza

10.41mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW

MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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