MOSFET Vishay, canale N, 84 mΩ, 65 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6029
Codice costruttore:: SUM65N20-30-E3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 84 mΩ, 65 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 165-6029
Codice costruttore:: SUM65N20-30-E3
Costruttore:: Vishay

SUM65N20-30, N-Channel 200V (D-S) 175degC MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	65 A
Tensione massima drain source	200 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	84 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	375 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	9.652mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	10.41mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	90 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	4.826mm

MOSFET Vishay, canale N, 84 mΩ, 65 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor

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