MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 12 mΩ Miglioramento, 84 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
222-4732
Codice costruttore:
IRF1010ESTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

84A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

86.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

9.65 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.83mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET®, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di metallo ossido semiconduttore. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Advanced Process Technology

Commutazione rapida a bassissima resistenza in stato attivo

Senza piombo, Conformità RoHS

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