MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 12 mΩ Miglioramento, 84 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
222-4732
Codice costruttore:
IRF1010ESTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

84A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

86.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

9.65mm

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET®, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di metallo ossido semiconduttore. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Advanced Process Technology

Commutazione rapida a bassissima resistenza in stato attivo

Senza piombo, Conformità RoHS

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