MOSFET Infineon, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 110-9060
Codice costruttore:: IPP60R190P6XKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-220, Su foro

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 110-9060
Codice costruttore:: IPP60R190P6XKSA1
Costruttore:: Infineon

IPx60R190P6 600V CoolMOS P6 Power Transistor
ESD Control Selection Guide V1

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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	20 A
Tensione massima drain source	650 V
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	190 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3.5V
Dissipazione di potenza massima	151 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.57mm
Carica gate tipica @ Vgs	37 nC a 10 V
Lunghezza	10.36mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Tensione diretta del diodo	0.9V
Altezza	15.95mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Serie	CoolMOS P6

MOSFET Infineon, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-220, Su foro

MOSFET di potenza Infineon serie CoolMOS™E6/P6

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