MOSFET Infineon, canale Tipo N 550 V, 190 mΩ Miglioramento, 18.5 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP50R190CEXKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
914-0227
Codice costruttore:
IPP50R190CEXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

18.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

550V

Tipo di package

TO-220

Serie

CoolMOS CE

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47.2nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

127W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

0.85V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

15.95mm

Lunghezza

10.36mm

Larghezza

4.57 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-44-440

MOSFET di potenza CE Infineon CoolMOS™


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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