MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 4 mΩ Miglioramento, 190 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF1404ZPBF
- Codice RS:
- 688-6813
- Codice costruttore:
- IRF1404ZPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
2,41 €
(IVA esclusa)
2,94 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 4 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 48 unità in spedizione dal 09 gennaio 2026
- Più 1000 unità in spedizione dal 15 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,205 € | 2,41 € |
| 20 - 48 | 0,95 € | 1,90 € |
| 50 - 98 | 0,895 € | 1,79 € |
| 100 - 198 | 0,835 € | 1,67 € |
| 200 + | 0,77 € | 1,54 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 688-6813
- Codice costruttore:
- IRF1404ZPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 190A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 100nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 220W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.54mm | |
| Altezza | 8.77mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.69 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 190A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 100nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 220W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.54mm | ||
Altezza 8.77mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.69 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, 180A di corrente continua massima di drain, 40V di tensione massima di source drain - IRF1404ZPBF
Questo MOSFET è un componente di potenza ad alte prestazioni progettato per una varietà di applicazioni nei settori automobilistico e industriale. Con una robusta corrente di drain continua di 180A e una tensione massima drain-source di 40V, eccelle negli ambienti più difficili. Il tipo di confezione TO-220AB facilita il montaggio, garantendo un'integrazione efficiente nei circuiti e nei sistemi elettronici.
Caratteristiche e vantaggi
• Utilizza la tecnologia HEXFET per una maggiore efficienza
• Progettato per la modalità di potenziamento per ottimizzare la commutazione
• Fornisce una rapida velocità di commutazione per aumentare l'efficienza complessiva
• Capace di valanghe ripetitive per aumentare l'affidabilità
Applicazioni
• Ideale per l'utilizzo nei circuiti di controllo dei motori
• Utilizzato in alimentatori e convertitori
• Progettato per l'uso nel settore automobilistico
• Adatto a diversi sistemi di automazione industriale
• Efficace nella gestione dell'alimentazione e nella commutazione
In che modo la bassa resistenza all'accensione è vantaggiosa per le mie applicazioni?
La bassa resistenza di accensione di 2,7 mΩ riduce le perdite di conduzione, migliorando l'efficienza complessiva nei sistemi di conversione di potenza e di gestione dell'energia.
Cosa succede se il dispositivo supera la temperatura massima di funzionamento?
Il superamento della temperatura massima di esercizio di +175°C può portare a un degrado delle prestazioni e a potenziali guasti, sottolineando la necessità di un'adeguata gestione termica.
Può essere utilizzato in configurazioni parallele?
Sì, quando si utilizzano configurazioni in parallelo, è fondamentale bilanciare la condivisione della corrente tra i dispositivi per evitare il surriscaldamento e massimizzare le prestazioni.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 4 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 190 mΩ TO-220, Su foro
- MOSFET Infineon 190 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 190 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 190 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 190 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 190 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPA65R190C7XKSA1
- MOSFET Infineon 190 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante SPA20N60C3XKSA1
