MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 190 A, TO-220AB, Su foro

Questo MOSFET è un componente di potenza ad alte prestazioni progettato per una varietà di applicazioni nei settori automobilistico e industriale. Con una robusta corrente di drain continua di 180A e una tensione massima drain-source di 40V, eccelle negli ambienti più difficili. Il tipo di confezione TO-220AB facilita il montaggio, garantendo un'integrazione efficiente nei circuiti e nei sistemi elettronici.

• Utilizza la tecnologia HEXFET per una maggiore efficienza
• Progettato per la modalità di potenziamento per ottimizzare la commutazione
• Fornisce una rapida velocità di commutazione per aumentare l'efficienza complessiva
• Capace di valanghe ripetitive per aumentare l'affidabilità

• Ideale per l'utilizzo nei circuiti di controllo dei motori
• Utilizzato in alimentatori e convertitori
• Progettato per l'uso nel settore automobilistico
• Adatto a diversi sistemi di automazione industriale
• Efficace nella gestione dell'alimentazione e nella commutazione

La bassa resistenza di accensione di 2,7 mΩ riduce le perdite di conduzione, migliorando l'efficienza complessiva nei sistemi di conversione di potenza e di gestione dell'energia.

Il superamento della temperatura massima di esercizio di +175°C può portare a un degrado delle prestazioni e a potenziali guasti, sottolineando la necessità di un'adeguata gestione termica.

Sì, quando si utilizzano configurazioni in parallelo, è fondamentale bilanciare la condivisione della corrente tra i dispositivi per evitare il surriscaldamento e massimizzare le prestazioni.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.